北京高信躁比的DAC芯片体积小散热快等优点

目前，我们的芯片制造业超过50%的客户是海外的客户，我们的封测大概也有将近一半客户是海外的客户，我们是给别人加工。那我们的设计业是非常需要资源的，又满世界去找资源，找加工的资源，原因是我们制造业和封测业的技术水平，跟我们所需求的还有距离。我们原来的产业是以对外加工为主，大家知道“三来一补”等等。这种是加工性产业结构，现在要变成自主创新为主，你要作产业结构的调整。中间提出来要供给侧的结构性变革，其实对芯片来说，我们就是面临这样一个变革。贵金属是重要的半导体材料之一，其价格的波动会对芯片制造的成本产生一定影响。北京高信躁比的DAC芯片体积小散热快等优点

CPU 是对计算机的所有硬件资源（如存储器、输入输出单元） 进行控制调配、执行通用运算的中心硬件单元。GPU即图形处理器，又称显示中心、视觉处理器、显示芯片，是一种专门在个人电脑、工作站、游戏机和一些移动设备（如平板电脑、智能手机等）上做图像和图形相关运算工作的微处理器。FPGA是在PAL、GAL等可编程器件的基础上进一步发展的产物。它是作为专集成电路（ASIC）领域中的一种半定制电路而出现的，既解决了定制电路的不足，又克服了原有可编程器件门电路数有限的缺点。FPGA可以无限次编程，延时性比较低，同时拥有流水线并行和数据并行（GPU只有数据并行）、实时性非常强、灵活性比较高。北京高信躁比的DAC芯片体积小散热快等优点芯片根据用途分为系统芯片和存储芯片。

大家可以想，这么精密的东西，正是因为它这么小，所以我们能够把大量的东西集成在单个的芯片上去。大家一定会问一个问题，如果按照我们现在的走法，走到5纳米，再往下走到3纳米，能不能再走下去呢？我们认为可能某一种特定技术走到一定的时候，它就会停下来，但是并不表示着新技术不会出现。前两年德国科学家就发明了一种称其为分子级晶体管的新的器件。未来的发展，可能我们的手机会变得越来越小，小到了我们现在不可想象的地步。当然这个小不是说体积变小，是手机芯片的尺寸变小，功能变得越来越大。但是任何技术都有它的极限，不可能没有极限，那从芯片角度来说它有哪几个极限呢？一个就是物理的极限，它尺寸太小了，其实还有功耗的极限。举个例子，我们家里都有电熨斗，电熨斗的功率密度每平方厘米5瓦。5瓦很小，但是很烫手，我们相对不敢拿手去直接碰它。

集成电路芯片呢？一般的芯片都在每平方厘米几十瓦，所以我们看到的芯片上往往要背一个散热器，上面还有一个风扇。当我们功率密度达到每平方厘米100瓦以上的时候，风已经不行了，要换成水冷。超级计算机当中要通水，这边凉水进去那边就变成温水出来。这样的一种热的耗电，这种热效应是非常非常厉害的，如果不加控制，到2005年前后，我们芯片的温度已经达到了核反应堆的温度，到2010的时候大概已经可以达到太阳表面的温度了，那么这么热的东西可能用吗？不可能用。因此人们想了一个办法，我们要想办法把这功耗降下来，把原来的单核变成双核。现在智能手机里的芯片基本都是特大规模集成电路了，里面聚集了数以亿计的元器件。

蚀刻技术就是利用化学或物理方法，将抗蚀剂薄层未掩蔽的晶片表面或介质层除去，从而在晶片表面或介质层上获得与抗蚀剂薄层图形完全一致的图形。集成电路各功能层是立体重叠的，因而光刻工艺总是多次反复进行。例如，大规模集成电路要经过约10次光刻才能完成各层图形的全部传递。在半导体制造中有两种基本的刻蚀工艺：干法刻蚀和湿法腐蚀。目前主流所用的还是干法刻蚀工艺，利用干法刻蚀工艺的就叫等离子体蚀刻机。在集成电路制造过程中需要多种类型的干法刻蚀工艺，应用涉及硅片上各种材料。被刻蚀材料主要包括介质、硅和金属等，通过与光刻、沉积等工艺多次配合可以形成完整的底层电路、栅极、绝缘层以及金属通路等。贵金属在芯片制造中不可或缺，如果国际上不稳定因素增加，某一种关键金属材料的短缺将持续冲击芯片价格。北京高信躁比的DAC芯片体积小散热快等优点

金属材料在芯片工艺的演进过程中发挥着重要作用。北京高信躁比的DAC芯片体积小散热快等优点

芯片生产需要大量的原材料，比如硅晶圆、光刻胶等等。对于大家经常听说的光刻机，我们用非常通俗的语言来概括它的原理，就是投影仪+单反的原理，将激光光束透射过画着线路图的掩模，将芯片线路图成比例缩小投射到涂了光刻胶的硅晶圆上，非常终形成芯片的电路图。所以硅晶圆和光刻胶是芯片生产过程中非常重要的原材料。芯片制造所需的原料有很多，其中需求量比较大的当属硅晶圆。数据显示，硅晶圆在芯片制造材料中占比比较高，达到37%。硅晶圆制造行业整合现象早在上世纪90年代就已经出现，经过三十年时间厮杀，目前90%的市场份额都被日韩四巨头占据。它们分别是信越化学、环球晶圆、胜高以及SKsiltron。北京高信躁比的DAC芯片体积小散热快等优点

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