集成电阻及电容的数值范围窄，数值较大的电阻、电容占用硅片面积大。集成电阻一般在几十Ω～几十kΩ范围内，电容一般为几十pF。电感尚不能集成；元器件性能参数的一定误差比较大，而同类元器件性能参数之比值比较精确；纵向NPN管β值较大，占用硅片面积小，容易制造。而横向PNP管的β值很小，但其PN结的耐压高。由于制造工艺及元器件的特点，模拟集成电路在电路设计思想上与分立元器件电路相比有很大的不同。在所用元器件方面，尽可能地多用晶体管，少用电阻、电容；在电路形式上大量选用差动放大电路与各种恒流源电路，级间耦合采用直接耦合方式；尽可能地利用参数补偿原理把对单个元器件的高精度要求转化为对两个器件有相同参数误差...