上海国产CeYAG晶体材料

关于新型闪烁晶体及其应用的国际学术交流极其频繁和活跃。例如，关于新闪烁晶体及其应用的第1次国际会议“水晶2000”于1992年在法国夏蒙尼举行，由“水晶透明协作”小组主办。随后，研究合作小组分别于1994年、1995年、1997年、1999年和2001年在美国，荷兰，中国和俄罗斯举行了两年一次的新型闪烁材料学术研讨会[39]。这些研讨会极大地促进了具有高光输出和快速衰减的无机闪烁晶体的研究和发展。特别是铈离子掺杂的无机闪烁晶体，如Ce:YAP、Ce:LSO和Ce:LuAP，受到了极大的关注，被认为是新一代高光输出、快衰减的无机闪烁晶体材料。提拉法生长Ce:YAG晶体?CeYAG晶体发光中心波长为550nm，可以与硅光二极管等探测设备有效耦合。上海国产CeYAG晶体材料

Ce:YAG闪烁晶体的主要应用在哪里？高温闪烁晶体今后的发展趋势主要包括以下几个方面：1、寻求优化的高温闪烁晶体生长方法以及工艺技术。目前，多数高温闪烁晶体主要是通过提拉法生长的，探索改进的提拉法或其它的工程化生长工艺技术对研究开发高温闪烁晶体具有十分重要的意义。2、开展多掺杂以及探索新型发光离子的高温闪烁晶体也会逐步受到人们的重视。随着探测器件的小型化多功能化的迅猛发展，具有多种探测功能的复合闪烁探测单晶材料将会成为一个研究热点。另外，探索其它发光中心离子的闪烁性能也将会逐步引起人们的关注，特别对能与现有的探测设备耦合匹配，容易掺杂等激发离子的研究。上海国产CeYAG晶体材料CeYAG晶体的激光照明系统，包括蓝光半导体激光器，光学耦合透镜组。

我们采用温梯法生长了Ce:YAG 晶体，原料采用高纯 Y2O3 (5N), CeO2 (5N) 和 Al2O3 (5N) 粉末，按照化学式 (Y0.997Ce0.003)3Al5O12 配料。生长方向 <111>，高纯 Ar 气氛，具体生长方法见第二章所述。如图 5-1，生长的晶体尺寸为Φ110×80mm，呈黄黑色，主要是由发热体质量欠佳造成的碳挥发物引起的。晶体*在放肩部位有两处小裂纹，外形绝大部分保持完整。生长出来的晶体经过高温空气退火 24 小时后，黑色基本消失。图 5-2 为晶体切片样品，样品经空气退火后加工，从图可见在晶体的中心位置仍有少量黑色物质，中心部分的碳污染无法消除说明退火不充分，经再次空气退火可完全消除。由应力仪下观察的结果来看，晶体中无明显应力，也没有因小面生长现象而产生的**，说明晶体生长过程中固液界面较平。

从宏观上看，直拉法可以生长出完整透明的Ce:YAG闪烁晶体。然而，用提拉法很难获得大尺寸、高质量的Ce:YAG闪烁晶体。一方面，提拉法生长的晶体尺寸直接受到所用铱坩埚尺寸的限制；另一方面，由于Ce3 (0.118nm)和Y3 (0.106nm)离子的半径相差较大，且Ce离子在YAG晶体中的偏析系数很小(~ 0.1)，在提拉法生长后期往往会发生成分过冷，严重影响Ce:YAG晶体的质量。为了克服提拉法生长的大尺寸、高质量的碳：钇铝石榴石闪烁晶体的缺点，我们第1次用温度梯度法(TGT)成功地生长了一种三英寸的碳：钇铝石榴石高温闪烁晶体超薄片CeYAG晶体订做价格研究表明，Ce:YAG晶体的闪烁性能对Ce3+离子浓度有较强的依赖关系。CeYAG高温闪烁晶体主要应用在轻粒子探测、α粒子探测、gamma射线探测等领域。

CeYAG单晶复合红色荧光粉的制备及其在白光LED上的应用，采用提拉法生长了CeYAG单晶，并以CeYAG单晶取代传统CeYAG荧光粉用于制备白光发光二极管(LED)，研究了CeYAG单晶厚度的变化对其色坐标，亮度，发光效率和色温的影响.由于460nm蓝光芯片激发的CeYAG单晶白光LED缺少红光成分，采用流延法将红色荧光粉CaAlSiN_3:Eu~(2+)涂覆在CeYAG单晶衬底上制备白光LED.制备的白光LED色度随红粉含量的变化由冷白光逐渐向暖白光区域移动，色温逐渐降低，显色指数上升。CeYAG单晶是一种综合性能优良的快衰变闪烁材料。上海国产CeYAG晶体材料

CeYAG闪烁晶体具有快衰减时间。上海国产CeYAG晶体材料

目前，Ce:YAG高温闪烁晶体业已商品化，主要用于扫描电镜（SEM）的显示部件，其生长方法主要为提拉法和温梯法。近年来, Ce:YAG单晶薄膜[84]，以及Ce:YAG陶瓷[85-87]等闪烁体由于有其独特的优势也备受人们的关注.为了填补我国在高温闪烁晶体研究领域的空白，本论文选取具有优良闪烁性能的Ce:YAP和Ce:YAG高温闪烁晶体为研究对象，围绕高温闪烁晶体存在的主要问题及其发展趋势，重点开展了提拉法与温梯法生长Ce:YAP和Ce:YAG晶体的研究与表征工作。上海国产CeYAG晶体材料

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